BiVO4及很多半导体是良好的可见光吸收材料，但是不可能光催化全分解水。我们发现，在BiVO4光阳极上担载适当的产氧助催化剂如磷酸钴 CoBi)以后，不仅起始电位发生负移，而且光电流和稳定性都得到很大的提高。更为重要的是，极小的偏压下（0.3 V vs. 对电极），实现了光催化全分解水，同时生成H2和 O2。而如果用没有助催化剂担载的BiVO4光阳极的话，至少需要0.6 V 的电压。这一研究工作结果表明，对于那些价带和能级在理论上不足以满足水分解的材料，我们可以采用构建光电化学池，加适当偏压的方法实现全分解水。对于热力学上能够分解水放氧的半导体，光催化氧化水过电位可以通过担载助催化剂解决，而所需要的偏压主要是用来克服产氢过程中的热力学需求。相关工作发表在：Phys. Chem. Chem. Phys.,2013, 15 (13), 4589
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