基于钛/二氧化硅/硅的金属-氧化物-半导体结构的光诱导双极性电阻效应。
在许多情况下，控制电阻是至关重要的。再者，如何在某一特定结构中实现显著的电阻变化是许多电阻效应的核心问题。现在，H.Wang所在的中国团队已经报道了一个全新的方法——通过激光来控制金属氧化物半导体（metal oxide semiconductor, MOS）结构（Ti-SiO2-Si）中的电阻。
这种方法由于利用了激光定位和电阻变化间的线性关系，即所谓的双极电阻效应（biopolar resistance effect, BRE），因此效果非常显著。BRE最重要的特征就是：当激光沿着既定MOS结构表面移动时，BRE会呈现出超强的空间灵敏度和极大的电阻变化率。该团队的研究结果指出：这种效应可用于开发基于MOS的新型光电器件。
C. Yu et al., Adv. Mater., DOI: 10.1002/adma.200903070
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