磁性拓扑态(斯格明子)是具有拓扑保护的磁畴结构,因为具有小尺寸(<100 nm)和低的驱动电流密度,在未来的自旋电子学和高密度存储器件方面有很好的应用前景,受到了各个研究领域的广泛关注。目前发现的磁性拓扑态主要是有界面的DM(Dzyaloshinskii-Moriya)相互作用驱动而形成的,主要存在于超薄材料的界面和表面处,这为其未来的实际应用带了很大的挑战。研究发现界面DM相互作用随着材料厚度快速的下降是造成这种行为的根本原因。因此如何克服界面DM相互作用的限制是把界面磁性拓扑态扩展到体态的重要途径之一。 …