具有二维层状晶体结构的化合物半导体CuSbS2，由于具有多种本征的优良性质（组成元素丰度高，带隙合适，吸光系数大，合成温度低）而成为一种潜在的薄膜光伏吸收层材料。相较于传统的三维晶体结构化合物半导体光伏材料（Si, CIGS, CdTe, GaAs, CZTS）具有的各向同性载流子传输能力，低维度材料中的载流子传输是各向异性的。例如在二维层状结构的CuSbS2中，光生载流子在层中通过共价键迁移效率高，而通过层间范德华键迁移效率低。此外，三维材料在晶界处会有大量悬挂键的存在，这些悬挂键通常表现为载流子复合中心，而低维…